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2017年有效专利

2012-07-04

 

  联系人:卢鹏志、曹永胜 

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                                                半导体所有效专利

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半导体材料制备与器件研制:97项
1 ZL.201310009072.8 利用自组装小球制作用于光刻版的金属网格模板的方法 杜成孝 半导体材料制备与器件研制
2 ZL.201310010357.3 用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置 冉军学 半导体材料制备与器件研制
3 ZL.201210014840.4 CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法 曹中祥 半导体材料制备与器件研制
4 ZL.200610011228.6 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 王晓亮 半导体材料制备与器件研制
5 ZL.201310023631.0 在硅上集成HEMT器件的方法 米俊萍 半导体材料制备与器件研制
6 ZL.200710062979.5 生长氮化铟单晶薄膜的方法 王晓亮 半导体材料制备与器件研制
7 ZL.201110027237.5 “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 迂修 半导体材料制备与器件研制
8 ZL.201310048977.6 具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 王晓亮 半导体材料制备与器件研制
9 ZL.201210032751.2 制备硅基砷化镓材料的方法 周旭亮 半导体材料制备与器件研制
10 ZL.201210033517.1 具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法 赵建华 半导体材料制备与器件研制
11 ZL.201310056260.6 自组织单量子点的定位方法及装置 尚向军 半导体材料制备与器件研制
12 ZL.200810057890.4 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 王晓亮 半导体材料制备与器件研制
13 ZL.201310057280.5 用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法 梁平 半导体材料制备与器件研制
14 ZL.201310068781.3 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 周旭亮 半导体材料制备与器件研制
15 ZL.201210057303.8 锗基赝砷化镓衬底的制备方法 周旭亮 半导体材料制备与器件研制
16 ZL.200810101761.0 铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 杨涛 半导体材料制备与器件研制
17 ZL.201310079069.3 在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法 査国伟 半导体材料制备与器件研制
18 ZL.200710064383.9 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 王晓亮 半导体材料制备与器件研制
19 ZL.201310109012.3 InSb晶片与Si晶片键合的方法 彭红玲 半导体材料制备与器件研制
20 ZL.201210093601.2 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法 孙波 半导体材料制备与器件研制
21 ZL.201010141024.0 采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法 王晓峰 半导体材料制备与器件研制
22 ZL.201010145087.3 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 王兵 半导体材料制备与器件研制
23 ZL.201110100538.6 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 汪明 半导体材料制备与器件研制
24 ZL.201210124792.4 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 李盼盼 半导体材料制备与器件研制
25 ZL.201310176286.4 硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法 周旭亮 半导体材料制备与器件研制
26 ZL.201110134149.5 自支撑氮化镓衬底的制作方法 孙波 半导体材料制备与器件研制
27 ZL.201210174972.3 GaN基LED网孔电极的制作方法 王家鑫 半导体材料制备与器件研制
28 ZL.201110148041.1 集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法 郑婉华 半导体材料制备与器件研制
29 ZL.201010201505.6 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 孙莉莉 半导体材料制备与器件研制
30 ZL.201310230999.4 多波长激光器阵列芯片的制作方法 梁松 半导体材料制备与器件研制
31 ZL.201310232595.9 硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法 韩伟华 半导体材料制备与器件研制
32 ZL.201210196884.3 一种采用双重控制技术生长蓝宝石晶体的方法 承刚 半导体材料制备与器件研制
33 ZL.201210211614.5 一种用于电子束蒸发的半导体外延片夹具 梁平 半导体材料制备与器件研制
34 ZL.201110177081.9 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法 郑怀文 半导体材料制备与器件研制
35 ZL.201110206340.6 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 周旭亮 半导体材料制备与器件研制
36 ZL.201110206038.0 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 周旭亮 半导体材料制备与器件研制
37 ZL.201110206037.6 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 周旭亮 半导体材料制备与器件研制
38 ZL.200910090350.0 一种制备薄膜材料的方法 俞育德 半导体材料制备与器件研制
39 ZL.201310370281.5 利用量子阱混杂制作多波长光子集成发射器芯片的方法 张灿 半导体材料制备与器件研制
40 ZL.200610127920.5 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 王晓亮 半导体材料制备与器件研制
41 ZL.201210325765.3 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 王建霞 半导体材料制备与器件研制
42 ZL.200610112889.8 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 马志勇 半导体材料制备与器件研制
43 ZL.201110267894.7 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 刘兴昉 半导体材料制备与器件研制
44 ZL.201110264570.8 HTCVD法碳化硅晶体生长装置 刘兴昉 半导体材料制备与器件研制
45 ZL.200810222336.7 低温晶片键合的方法 彭红玲 半导体材料制备与器件研制
46 ZL.201110283050.1 大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法 张雨溦 半导体材料制备与器件研制
47 ZL.200710122478.1 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 王晓亮 半导体材料制备与器件研制
48 ZL.201310503144.4 面向片上集成的热电器件制备方法 王珍 半导体材料制备与器件研制
49 ZL.201310510519.X 一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法 王莉娟 半导体材料制备与器件研制
50 ZL.200910236706.7 Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 冉军学 半导体材料制备与器件研制
51 ZL.200810226287.4 一种制备半导体固态白光光源的方法 徐云 半导体材料制备与器件研制
52 ZL.200810226288.9 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 王晓亮 半导体材料制备与器件研制
53 ZL.201210467084.0 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 王晓亮 半导体材料制备与器件研制
54 ZL.201310594591.5 一种检测光通讯波段半导体材料发光单光子特性的方法 周鹏宇 半导体材料制备与器件研制
55 ZL.201110384428.7 一种对铁电晶体材料进行极化的极化电极 郑婉华 半导体材料制备与器件研制
56 ZL.201110385093.0 基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法 张杨 半导体材料制备与器件研制
57 ZL.200410009922.5 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 王翠梅 半导体材料制备与器件研制
58 ZL.201110401468.8 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 王晓亮 半导体材料制备与器件研制
59 ZL.200810240351.4 p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 张小宾 半导体材料制备与器件研制
60 ZL.201110430261.3 GaN基薄膜芯片的制造方法 刘硕 半导体材料制备与器件研制
61 ZL.200410101891.6 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 王晓亮 半导体材料制备与器件研制
62 ZL.201410018204.8 密封传动装置 王晓亮 半导体材料制备与器件研制
63 ZL.201310019627.7 ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 李梦珂 半导体材料制备与器件研制
64 ZL.201310024040.5 一种高晶体质量超细砷化铟纳米线生长方法 赵建华 半导体材料制备与器件研制
65 ZL.201310023622.1 在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法 李士颜 半导体材料制备与器件研制
66 ZL.201410043904.2 改善硅纳米线太阳能电池性能的方法 曾湘波 半导体材料制备与器件研制
67 ZL.201310060711.3 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 李梦珂 半导体材料制备与器件研制
68 ZL.201310061105.3 在Si基上制备InP基HEMT的方法 李士颜 半导体材料制备与器件研制
69 ZL.201410077528.9 一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法 周旭亮 半导体材料制备与器件研制
70 ZL.201310068749.5 一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法 周旭亮 半导体材料制备与器件研制
71 ZL.201310069787.2 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 米俊萍 半导体材料制备与器件研制
72 ZL.201410083290.0 输出功率和光谱形状独立可调的发光二极管的制作方法 陈红梅 半导体材料制备与器件研制
73 ZL.201410085838.5 基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法 付振 半导体材料制备与器件研制
74 ZL.201410092524.8 源输送混合比可调气路装置 王晓亮 半导体材料制备与器件研制
75 ZL.201310084016.0 N型注入的红外至可见波长上转换装置及其制备方法 楚新波 半导体材料制备与器件研制
76 ZL.201310088301.X 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 李密锋 半导体材料制备与器件研制
77 ZL.201410112734.9 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 康贺 半导体材料制备与器件研制
78 ZL.201410112197.8 双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法 苏艳梅 半导体材料制备与器件研制
79 ZL.201410154760.8 ALD设备及应用于ALD设备的反应源扩散分布检测与控制方法 赵万顺 半导体材料制备与器件研制
80 ZL.201310135986.9 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 郭晓璐 半导体材料制备与器件研制
81 ZL.201310157617.X 非晶硅与多晶硅薄膜界面钝化及制备SPA结构HIT电池的方法 李浩 半导体材料制备与器件研制
82 ZL.201310161729.2 一种提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构 曹彤彤 半导体材料制备与器件研制
83 ZL.201310176608.5 高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法 周旭亮 半导体材料制备与器件研制
84 ZL.201410818494.4 一种雪崩光电二极管及其制作方法 向伟 半导体材料制备与器件研制
85 ZL.201510270786.3 防酸、碱腐蚀的保护罩及其使用方法 柳瑞丛 半导体材料制备与器件研制
86 ZL.201410270114.8 一种用于激光器无遮挡镀膜的镀膜架装置 赵懿昊 半导体材料制备与器件研制
87 ZL.201310306847.8 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 周旭亮 半导体材料制备与器件研制
88 ZL.201310306968.2 硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法 周旭亮 半导体材料制备与器件研制
89 ZL.201210348006.9 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 王晓亮 半导体材料制备与器件研制
90 ZL.201310503604.3 激光器阵列与合波器单片集成芯片的制作方法 梁松 半导体材料制备与器件研制
91 ZL.201310585868.8 提高AlN外延薄膜荧光强度的方法 王维颖 半导体材料制备与器件研制
92 ZL.201410764375.5 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法 孔苏苏 半导体材料制备与器件研制
93 ZL.201110431555.8 一种大厚度周期极化铁电晶体材料的制备方法 郑婉华 半导体材料制备与器件研制
94 ZL.201410818494.4 一种雪崩光电二极管及其制作方法 向伟 半导体材料制备与器件研制
95 ZL.201310750779.4 生长半极性GaN厚膜的方法 羊建坤 半导体材料制备与器件研制
96 ZL.201310315026.0 一种半导体薄膜生长装置及其生长方法 刘兴昉 半导体材料制备与器件研制
97 ZL.201310315012.9 一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法 刘兴昉 半导体材料制备与器件研制
半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件:332项
1 ZL.201210007489.6 频带可调谐的光载超宽带无线电信号发生器 王礼贤 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
2 ZL.201210010933.X 基于对称垂直光栅耦合的SOI基电光调制器 陈弘达 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
3 ZL.201210012013.1 电可调谐光栅耦合器 陈弘达 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
4 ZL.201210015339.X 频带可调谐的光载超宽带无线电信号发生器 郑建宇 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
5 ZL.201210015324.3 一种多步单斜模拟数字信号转换装置 李全良 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
6 ZL.201110009965.3 一种低功耗可编程增益放大器装置 李国锋 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
7 ZL.201310019746.2 单片集成钛薄膜热电阻可调谐DFB激光器的制作方法 张灿 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
8 ZL.201310019361.6 基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器 刘建国 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
9 ZL.201410028793.8 一种硅神经电极混合集成器件的制造方法 张旭 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
10 ZL.201110025009.4 多级高精度微位移传感器探头 王欣 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
11 ZL.201110025124.1 超低温高真空光纤传感器探头 王欣 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
12 ZL.201110025083.6 高速超低功耗16QAM发射装置 章琦 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
13 ZL.200510005744.3 一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元 郑厚植 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
14 ZL.201310030236.5 一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器 尹伟红 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
15 ZL.201310029832.1 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 邢军亮 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
16 ZL.201310028764.7 双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法 姚丹阳 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
17 ZL.201010102017.X 低相位噪声窄线宽可精确调谐光纤化激光微波源 刘建国 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
18 ZL.201010101999.0 微纳型半导体边发射FP激光器及其制作方法 车凯军 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
19 ZL.201110033767.0 光生微波信号源及方法 陈硕夫 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
20 ZL.201210024474.0 基于非线性偏振旋转效应的全光微波倍频器 郑建宇 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
21 ZL.201010047418.X 一种光纤矢量水听器 张文涛 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
22 ZL.200510000699.2 超辐射发光二极管结构 谭满清 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
23 ZL.201210029087.6 具有可调陷波特性的混沌光载超宽带无线电信号发生器 郑建宇 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
24 ZL.201210033017.8 制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法 周旭亮 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
25 ZL.201210032754.6 采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法 周旭亮 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
26 ZL.201310053244.1 基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置 张冶金 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
27 ZL.200610007846.3 利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法 朱洪亮 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
28 ZL.201110041540.0 一种低偏置电压下具有增益的硅光电探测器及其制备方法 韩培德 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
29 ZL.201310057153.5 基于离子摩尔浓度监测的路面冰点温度测试系统及方法 漆晓琼 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
30 ZL.200910120414.7 消除瑞利散射噪声的长距离光纤激光传感系统 吴悦峰 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
31 ZL.201110049791.3 用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法 郑婉华 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
32 ZL.200910078863.X 电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法 梁松 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
33 ZL.200810101355.4 具有1:N波长备份功能的波分复用无源光网络系统 韩威 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
34 ZL.201010119332.3 紧凑型瞬时微波频率光子测量系统 刘建国 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
35 ZL.201210057292.3 基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法 周旭亮 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
36 ZL.201310071764.5 滤波式波长可调谐外腔激光器 魏恒 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
37 ZL.201110054481.0 TO封装的VCSEL二维圆形阵列模块的驱动转接装置 陈硕夫 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
38 ZL.201010123023.3 一种高密度低寄生的电容装置 冯鹏 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
39 ZL.201110059463.1 双新月对结构的化学传感系统 郑婉华 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
40 ZL.201010123021.4 HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 张宇 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
41 ZL.201010047718.8 一种光纤激光矢量水听器 张发祥 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
42 ZL.201110062131.9 基于光子晶体表面态的二维光子晶体T型波导 郑婉华 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
43 ZL.201110062126.8 宽带频率可调谐光电振荡器 王礼贤 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
44 ZL.201010047716.9 一种由激光致大气声波导传播声能的声波定向武器 林学春 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
45 ZL.201010047719.2 同振球型光纤矢量水听器 马睿 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
46 ZL.201110062128.7 基于光子晶体表面态的二维光子晶体分束器 郑婉华 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
47 ZL.201110067921.6 四路并行数字调制和正交复用的波导芯片结构 罗振敖 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
48 ZL.201110072412.2 采用T型电容网络反馈结构的CMOS生理信号放大器 陈弘达 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
49 ZL.201310096102.3 超低发散角倾斜光束单纵模人工微结构激光器 渠红伟 半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件
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